RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
77
Autour de -126% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.2
2,622.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
34
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
9.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
2597
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB Comparaison des RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston MSI16D3LS1KBG/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Mushkin 991586 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link