RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Comparez
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Note globale
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Note globale
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
43
Autour de -39% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.8
11.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.6
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
31
Vitesse de lecture, GB/s
11.4
17.8
Vitesse d'écriture, GB/s
7.7
14.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1823
3573
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link