RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Comparez
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Note globale
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Note globale
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
43
Autour de -48% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.2
11.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.4
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
29
Vitesse de lecture, GB/s
11.4
18.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.7
15.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1823
3559
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link