RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Comparez
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Note globale
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
43
Autour de -16% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.1
11.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.9
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
37
Vitesse de lecture, GB/s
11.4
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
7.7
11.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1823
2804
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link