RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
43
Rund um -16% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.1
11.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.9
7.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.4
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.7
11.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1823
2804
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link