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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Gesamtnote
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
51
Rund um 27% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
10.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
7.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
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Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
37
51
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
10.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
7.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
10600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
2049
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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