RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Comparez
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Note globale
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Note globale
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
43
48
Autour de 10% latence réduite
Raisons de considérer
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
11.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.7
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
48
Vitesse de lecture, GB/s
11.4
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
7.7
15.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1823
3047
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link