RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Comparez
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Note globale
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
43
Autour de -59% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.4
11.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.2
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
27
Vitesse de lecture, GB/s
11.4
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
7.7
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1823
3033
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link