RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Comparez
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Note globale
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Note globale
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
43
49
Autour de 12% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
11.4
10.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.6
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
49
Vitesse de lecture, GB/s
11.4
10.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.7
8.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1823
2504
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link