RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
49
Wokół strony 12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.4
10.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
49
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
10.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
8.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1823
2504
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-PB 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link