RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Comparez
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Note globale
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Note globale
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.7
6.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
43
Autour de -59% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.3
11.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
27
Vitesse de lecture, GB/s
11.4
12.3
Vitesse d'écriture, GB/s
7.7
6.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1823
1732
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link