RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
29
Autour de 14% latence réduite
Raisons de considérer
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.7
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.9
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
29
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
18.7
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
15.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
3594
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link