RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
29
Intorno 14% latenza inferiore
Motivi da considerare
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.7
16.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.9
10.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
29
Velocità di lettura, GB/s
16.1
18.7
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
15.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
3594
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link