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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Comparez
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs AMD R744G2606U1S 4GB
Note globale
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Note globale
AMD R744G2606U1S 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
76
Autour de 67% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.8
8.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
AMD R744G2606U1S 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.7
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
76
Vitesse de lecture, GB/s
15.3
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.8
8.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2646
1809
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Comparaison des RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
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