RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Сравнить
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB против AMD R744G2606U1S 4GB
-->
Средняя оценка
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Средняя оценка
AMD R744G2606U1S 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
76
Около 67% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.8
8.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
AMD R744G2606U1S 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.7
15.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
76
Скорость чтения, Гб/сек
15.3
15.7
Скорость записи, Гб/сек
9.8
8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2646
1809
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Сравнения RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Kingston KHX1866C11D3/4G 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link