RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против AMD R744G2606U1S 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
AMD R744G2606U1S 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
76
Около 68% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
AMD R744G2606U1S 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
76
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1809
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
AMD R744G2606U1S 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD R744G2606U1S 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link