RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs AMD R744G2606U1S 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
AMD R744G2606U1S 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
76
Wokół strony 68% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
AMD R744G2606U1S 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
76
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1809
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
AMD R744G2606U1S 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link