RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
10.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
77
Wokół strony -148% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.3
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
10.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
5.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
1740
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link