RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
10.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
77
Rund um -148% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.3
2,622.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
10.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
5.3
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
1740
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link