RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Comparez
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Note globale
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Note globale
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.3
14.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.8
7.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
25
Autour de -14% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
22
Vitesse de lecture, GB/s
15.3
14.6
Vitesse d'écriture, GB/s
9.8
7.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2646
2313
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Comparaison des RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB Comparaison des RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link