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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Comparez
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Note globale
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
28
Autour de 11% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.6
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.4
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
28
Vitesse de lecture, GB/s
15.3
18.6
Vitesse d'écriture, GB/s
9.8
15.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2646
3519
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Comparaison des RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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