RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Comparez
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Note globale
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Note globale
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
25
Autour de -9% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.2
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.1
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
23
Vitesse de lecture, GB/s
15.3
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
9.8
13.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2646
2989
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Comparaison des RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link