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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
総合得点
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
総合得点
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
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考慮すべき理由
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
23
25
周辺 -9% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17.2
15.3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.1
9.8
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
25
23
読み出し速度、GB/s
15.3
17.2
書き込み速度、GB/秒
9.8
13.1
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2646
2989
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