RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Comparez
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Note globale
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Note globale
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
33
Autour de 30% latence réduite
Raisons de considérer
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
11.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.8
5.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
23
33
Vitesse de lecture, GB/s
11.6
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
5.6
15.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1751
3461
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Comparaison des RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
G Skill Intl F3-10666CL9-2GBRL 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
INTENSO 5641152 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link