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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Comparez
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
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Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
42
Autour de -68% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.3
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
25
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.4
11.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2326
2912
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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