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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
比较
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
总分
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
差异
规格
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差异
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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
42
左右 -68% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.3
9.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
25
读取速度,GB/s
13.2
17.0
写入速度,GB/s
9.4
11.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2326
2912
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
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G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
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