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Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Comparez
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Note globale
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
24
Autour de 4% latence réduite
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.7
11.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.3
5.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
23
24
Vitesse de lecture, GB/s
11.6
12.7
Vitesse d'écriture, GB/s
5.6
6.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1751
2256
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Comparaison des RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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