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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
66
Autour de 62% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.1
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
66
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
8.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
1912
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
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