RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
30
Autour de 17% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.9
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
30
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
12.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
3044
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link