RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
32
Autour de 22% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.8
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
32
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 14 16 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
3279
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link