RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
32
Около 22% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
15.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.8
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
15.6
Скорость записи, Гб/сек
10.1
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 14 16 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
3279
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link