RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Сравнить
A-DATA Technology DQVE1908 512MB против Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Средняя оценка
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
14.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
66
Около -89% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.1
1,557.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
35
Скорость чтения, Гб/сек
2,775.5
14.8
Скорость записи, Гб/сек
1,557.9
11.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
382
2566
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Сравнения RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB Сравнения RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link