RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB против Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
28
Около 4% меньшая задержка
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.8
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.6
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
28
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
18.8
Скорость записи, Гб/сек
8.4
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2251
3465
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link