RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
26
Около 4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
14.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.2
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
26
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
14.8
Скорость записи, Гб/сек
10.1
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2576
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link