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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Raisons de considérer
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
25
Autour de -19% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.5
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.1
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
21
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
14.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
3419
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664BF160BJ.M4F 2GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
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