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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Raisons de considérer
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.4
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.6
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
25
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
16.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
3908
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB Comparaison des RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
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Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
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