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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
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Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Motivi da considerare
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.4
16.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.6
10.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
25
Velocità di lettura, GB/s
16.1
17.4
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
16.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
3908
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB Confronto tra le RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
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