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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
30
Autour de 17% latence réduite
Raisons de considérer
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.2
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.1
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
23400
12800
Autour de 1.83 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
30
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
15.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
23400
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
3428
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
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Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
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