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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Raisons de considérer
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.3
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.6
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
25
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
14.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
3404
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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