RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.3
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
25
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
17.3
Скорость записи, Гб/сек
10.1
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
3404
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Kingston 9905403-038.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link