RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
29
Autour de 14% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.1
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
29
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
13.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
2983
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link