RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
35
Autour de 29% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.3
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
35
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
2933
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link