RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
35
Около 29% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.3
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
35
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
16.7
Скорость записи, Гб/сек
10.1
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2933
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link