RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
28
Autour de 11% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.1
9.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
28
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
12.6
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
9.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
2490
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link