RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
32
Autour de 22% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.8
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
32
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
2739
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB Comparaison des RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link