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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Raisons de considérer
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
25
Autour de -19% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.8
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.9
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
21
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
17.8
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
11.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
3038
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
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Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
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Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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