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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
39
Autour de 36% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.1
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
39
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
13.2
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
9.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
2489
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
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