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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
39
左右 36% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
9.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
39
读取速度,GB/s
16.1
13.2
写入速度,GB/s
10.1
9.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
2489
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Mushkin 991586 2GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
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