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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB

总分
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

总分
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EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB

EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB

差异 规格 评论

差异

Samsung 1600 CL10 Series 8GB 需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    25 left arrow 39
    左右 36% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    16.1 left arrow 13.2
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    10.1 left arrow 9.4
    测试中的平均数值
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB 需要考虑的原因
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
报告一个错误
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 12800
    左右 1.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    25 left arrow 39
  • 读取速度，GB/s
    16.1 left arrow 13.2
  • 写入速度，GB/s
    10.1 left arrow 9.4
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2764 left arrow 2489

Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较

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