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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
29
Autour de 14% latence réduite
Raisons de considérer
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.8
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.2
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
29
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
17.8
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
3208
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
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