RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
29
Около 14% меньшая задержка
Причины выбрать
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.8
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
17.8
Скорость записи, Гб/сек
10.1
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
3208
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
G Skill Intl F3-10666CL9-2GBNS 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link